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  • 型号: CY7C1415BV18-200BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1415BV18-200BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1415BV18-200BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1415BV18-200BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1415BV18-200BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1415BV18-200BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1415BV18-200BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的16Mb(1M × 18位)QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)SRAM。其典型应用场景集中在对高带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的中高端嵌入式与通信系统中:

1. 网络设备:广泛用于路由器、交换机、防火墙等的包缓冲、查找表(如TCAM辅助缓存)、队列管理及流量整形模块,得益于QDR-II+双沿采样与独立读写端口,可实现高达400MT/s的数据吞吐。

2. 电信基础设施:在基站(BBU/RRU)、光传输设备(OTN、SDH/SONET)中用作FPGA或ASIC的高速本地缓存,支撑实时信号处理、协议解析与数据暂存。

3. 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器等需大容量、纳秒级访问的深度采集缓存。

4. 工业与军事航空电子:在高可靠性要求场景(如雷达信号处理、飞行控制数据交换)中,凭借工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及无刷新特性提供稳定运行保障。

该器件不适用于主存或大容量存储,而是作为关键路径上的“高速暂存枢纽”,弥补处理器/FPGA片上RAM容量不足,提升系统整体I/O效率。其200MHz时钟(400MT/s)与BGA封装(165-ball fine-pitch)适配高密度PCB布局需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1415BV18-200BZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(1M x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

200MHz

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