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  • 型号: CY7C1413SV18-250BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1413SV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1413SV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1413SV18-250BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1413SV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1413SV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1413SV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM,属于高速静态存储器类别。该器件为1.8V供电、16Mb(1M×16位)QDR™ II+架构的双数据率SRAM,工作频率达250MHz(周期时间4ns),支持双倍数据速率读写,具备低延迟、高吞吐量和确定性时序特性。

典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:用作路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO缓存或查找表(如TCAM辅助缓存),满足高速数据流实时处理需求;  
- 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备中承担信道编码/解码中间数据暂存、突发流量缓冲;  
- 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据的临时存储,保障无丢点实时捕获;  
- 工业与军事嵌入式系统:对可靠性、宽温(-40°C ~ +85°C)和抗辐射有要求的场景,如雷达信号处理、航天载荷控制模块的数据缓存;  
- FPGA协处理器接口:常作为Xilinx/Intel FPGA的高速外挂存储器,为软核处理器或定制加速器提供低延迟内存扩展。

其BZC封装(165-ball FBGA)适合高密度PCB布局,配合QDR II+特有的读写独立端口和流水线命令结构,可显著提升系统带宽效率。需注意该器件已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌推荐替代型号(如PSRAM或新型QDR SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

产品图片

产品型号

CY7C1413SV18-250BZC

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(2M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

250MHz

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