Datasheet下载- 型号： CY7C1413KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1413KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1413KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1413KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1413KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1413KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1413KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（4.5 Mbit）的流水线型QDR-II+ SRAM，数据速率高达333 MHz（双倍数据率，实际吞吐达666 MT/s），具备低延迟、确定性访问特性。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的缓冲存储、队列管理、包缓存与查找表（LUT）暂存； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备中用于实时数据流暂存与速率匹配； - 测试与测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高带宽、低延迟采集/回放的场景； - 高端FPGA协处理系统：作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速缓存或帧缓冲，支撑视频处理、雷达信号处理等实时计算任务； - 工业自动化与嵌入式系统：对确定性时序敏感的实时控制模块中用作高速共享内存。 该芯片采用165-ball FBGA封装（13 mm × 15 mm），工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级“ZI”后缀），支持JTAG边界扫描与多种电源管理模式，适用于高可靠性、高吞吐、低抖动要求的关键嵌入式存储场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49413 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1413KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1413KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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