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CY7C1412KV18-333BZXI产品简介:
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CY7C1412KV18-333BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达333MHz(周期时间3.0ns),支持双倍数据速率读写,具备独立读/写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用作路由器、交换机、防火墙中的包缓冲区、查找表(LUT)或队列管理缓存,满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求; - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中承担FIFO、信元缓冲或协议处理中间数据暂存; - 测试与测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器,利用其纳秒级访问速度实时捕获并暂存高频采样数据; - 军事/航空电子系统:因该器件为工业级宽温(–40°C 至 +85°C)且符合AEC-Q200(部分版本)及高可靠性要求,适用于雷达信号处理、航电数据总线接口等严苛环境; - FPGA协处理器缓存:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外部高速共享内存,加速图像处理、数字信号处理(DSP)等计算密集型任务的数据交换。 注:该型号已进入产品寿命终止(EOL)阶段,当前多由英飞凌延续支持,新设计建议评估替代型号(如Infineon QDR-IV系列)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49094 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412KV18-333BZXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1412KV18333BZXI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |