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  • 型号: CY7C1412KV18-333BZXI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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CY7C1412KV18-333BZXI产品简介:

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CY7C1412KV18-333BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达333MHz(周期时间3.0ns),支持双倍数据速率读写,具备独立读/写端口和突发访问能力。

其典型应用场景包括:  
- 高速网络设备:用作路由器、交换机、防火墙中的包缓冲区、查找表(LUT)或队列管理缓存,满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求;  
- 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中承担FIFO、信元缓冲或协议处理中间数据暂存;  
- 测试与测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器,利用其纳秒级访问速度实时捕获并暂存高频采样数据;  
- 军事/航空电子系统:因该器件为工业级宽温(–40°C 至 +85°C)且符合AEC-Q200(部分版本)及高可靠性要求,适用于雷达信号处理、航电数据总线接口等严苛环境;  
- FPGA协处理器缓存:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外部高速共享内存,加速图像处理、数字信号处理(DSP)等计算密集型任务的数据交换。

注:该型号已进入产品寿命终止(EOL)阶段,当前多由英飞凌延续支持,新设计建议评估替代型号(如Infineon QDR-IV系列)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=49094

产品图片

产品型号

CY7C1412KV18-333BZXI

PCN组件/产地

http://www.cypress.com/?docID=47156

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

其它名称

CY7C1412KV18333BZXI

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(2M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

333MHz

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