Datasheet下载- 型号： CY7C14121KV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C14121KV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C14121KV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C14121KV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C14121KV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C14121KV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C14121KV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、128Mb（8M×18位）QDR™ II+ SRAM，数据速率高达300MHz（600MT/s双数据率），具备低延迟、高带宽和突发读写能力。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机、防火墙中的包缓冲器、FIFO缓存或查找表（如TCAM辅助缓存），满足高速数据流实时处理需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH传输设备中承担信元/帧缓存与流量整形； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器中用于深度数据采集与暂存； - 高端工业与军事系统：需确定性低延迟访问的实时信号处理、雷达数据缓存等场景。 其QDR II+架构支持独立读/写端口、无总线争用，配合300MHz时钟及BGA封装（165-ball Fine-Pitch BGA），适合高密度、高性能嵌入式设计。注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或更新QDR系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C14121KV18-300BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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