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产品简介:
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CY7C1411SV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V、36Mb(2M × 18位)QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机及网络处理器(NPU)中的数据包缓冲、查找表(如TCAM辅助缓存)、队列管理,得益于QDR II+双数据速率架构(读/写独立端口、250MHz时钟下高达500MT/s吞吐),可满足线速转发需求。 - 通信基站与无线基础设施:在4G LTE/5G NR基带处理单元中,作为FPGA或ASIC的低延迟片外缓存,支撑信道编码/解码、FFT/IFFT运算中间数据暂存。 - 测试测量与高端工业设备:在高速示波器、逻辑分析仪中用作深度采集缓存;在实时工业控制系统中支持确定性低延迟数据交换。 - 军事与航空航天电子系统:凭借工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及高可靠性封装(PBGA165),适用于雷达信号处理、航电数据记录等对时序严苛、抗干扰要求高的场景。 该器件不适用于大容量长期存储(如SSD)或低成本消费类应用,核心价值在于纳秒级访问延迟(tAA ≤ 3.5ns)、无刷新操作及确定性时序,是高性能嵌入式系统中关键的“高速暂存中枢”。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1411SV18-250BZC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(4M x 8) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |