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产品简介:
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CY7C1411BV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、16Mbit(1M×18位)QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)架构产品。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高速数据处理系统: - 网络通信设备:广泛用于路由器、交换机、防火墙及网络处理器(NPU)中,作为包缓冲、队列管理、FIB(转发信息库)缓存或TCAM预取缓冲,利用QDR-II+双沿读写与独立读/写端口实现高达2.5 Gbps的吞吐率(250MHz时钟,4数据速率)。 - 电信基础设施:应用于基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中的信元/帧缓存、DMA暂存及协议处理中间缓冲。 - 测试测量与高端FPGA协处理器:为Xilinx或Intel高端FPGA提供低延迟、零等待状态的片外高速缓存,支持实时信号处理、雷达/视频流缓冲等应用。 - 工业与军事嵌入式系统:在需要高可靠性、宽温工作(-40°C至+85°C)及抗辐射设计的航空电子、雷达告警接收机等场景中,作为关键实时数据暂存介质。 该器件采用165-ball BGA封装(ZC后缀),具备可编程驱动强度、JTAG边界扫描支持及完善的电源管理特性,适用于高密度、低功耗、高确定性的嵌入式存储需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1411BV18-250BZC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(4M x 8) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |