Datasheet下载- 型号： CY7C1354CV25-166BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1354CV25-166BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1354CV25-166BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1354CV25-166BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1354CV25-166BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1354CV25-166BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1354CV25-166BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高速、低功耗同步SRAM（静态随机存取存储器），具体为256K × 36位（即9Mb）的QDR™ II+ SRAM，工作电压3.3V，最大工作频率166MHz（tCLK = 6ns），采用165-ball BGA封装（BZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存等，凭借QDR II+双数据速率、读写独立端口特性，支持高吞吐、低延迟的并发读写。 - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中用作FPGA或DSP的高速外挂缓存，满足实时信号处理对确定性时序和零等待周期的要求。 - 测试与测量仪器：如高速逻辑分析仪、协议分析仪中作为深度数据采集缓存，利用其突发访问能力和稳定时序保障采样完整性。 - 工业控制与嵌入式系统：在高端PLC、运动控制器中承担实时I/O数据暂存或固件运行缓存，适用于对可靠性、宽温（工业级–40°C ~ +85°C）和抗干扰要求严苛的场景。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash或DDR），而是专为需要纳秒级访问、无刷新、零延迟读写的高性能缓存层而设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=40000 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1354CV25-166BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NoBL™ |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1354CV25166BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 9M（256K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 速度 | 166MHz |
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