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  • 型号: CY7C1321KV18-333BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1321KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1321KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1321KV18-333BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1321KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1321KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1321KV18-333BZC 是赛普拉斯(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于存储器类别。该器件为1.8V供电、72Mb(4M×18位)QDR™ II+ SRAM,支持双数据速率(DDR)读写,最高工作频率达333MHz(tCLK = 3.0ns),具备独立读/写端口、突发访问和流水线操作能力。

其典型应用场景包括:  
- 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表(LUT)、FIB缓存及流量管理单元,利用其低延迟与高吞吐(双向并发可达~12 Gbps)特性;  
- 电信基础设施:基站基带处理、OTN/SDH帧处理卡中作为FPGA或ASIC的片外高速缓存,支撑实时信号处理;  
- 测试测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪的数据采集缓存,满足深度存储与高速采样率需求;  
- 军事/航天嵌入式系统:在抗辐射加固版本(如该型号的工业级BZC封装)支持下,用于雷达信号处理、星载数据暂存等对可靠性与时序严苛的场景。

该芯片采用165-ball FBGA封装,符合工业温度范围(–40°C 至 +85°C),具备可编程输出驱动强度、JTAG边界扫描支持,便于系统集成与调试。需配合专用时钟(K/K#)及控制逻辑使用,适用于对确定性延迟、零等待周期和高带宽有强需求的嵌入式实时系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=49117

产品图片

产品型号

CY7C1321KV18-333BZC

PCN组件/产地

http://www.cypress.com/?docID=47156

PCN过时产品

http://www.cypress.com/?docID=44765

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

其它名称

CY7C1321KV18333BZC

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II

存储容量

18M(512K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

333MHz

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