Datasheet下载- 型号： CY7C1320KV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320KV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320KV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320KV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1320KV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1320KV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1320KV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）架构的18位总线宽度器件，工作频率达250MHz（周期时间4ns），支持双倍数据速率读写，具备低延迟、高带宽特性。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：如高端路由器、交换机、网络处理器（NPU）中的缓存与数据包缓冲，用于高速报文暂存、队列管理及流量整形； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中作为FPGA或ASIC的外部高速缓存，满足实时性严苛的数据吞吐需求； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器等需大容量、纳秒级访问的深度采集缓冲； - 军事与航空航天电子系统：雷达信号处理、实时图像缓存等对可靠性、温度范围（该型号为工业级，-40°C~+85°C）和抗干扰性要求高的场景。 该芯片采用165-ball FBGA封装，支持可编程输出驱动强度、片上终端（ODT）及多种省电模式（如深度掉电），便于系统功耗优化。需配合专用QDR-II+控制器（如Xilinx FPGA硬核或软核）使用，不兼容标准SRAM或DDR接口。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320KV18-250BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1320KV18250BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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