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  • 型号: CY7C1320JV18-300BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320JV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320JV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320JV18-300BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1320JV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1320JV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1320JV18-300BZC 是赛普拉斯(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于“存储器”类别。该器件为1.8V供电、2M×18位(36Mb)配置,最大工作频率达333MHz(300ps周期),采用119球FBGA封装(BZC后缀),支持QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)接口,具备双数据速率、读写独立端口、突发传输等特性。

典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:如高端路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表(LUT)、FIB缓存等,利用其低延迟与高带宽满足线速转发需求;  
- 电信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH设备中的信元/帧缓存及队列管理;  
- 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器中用于实时大数据流暂存;  
- 军工与航空电子:对可靠性、温度范围(–40°C至+85°C工业级)和抗干扰性要求严苛的嵌入式实时系统;  
- FPGA协处理器缓存:作为Xilinx或Intel高端FPGA的外挂高速缓存,弥补片内BRAM容量不足。

注:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌QDR-IV或替代方案,但现有系统仍广泛用于需确定性低延迟访问的中高端嵌入式场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1320JV18-300BZC

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II

存储容量

18M(512K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

300MHz

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