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- 型号： CY7C1320JV18-250BZXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320JV18-250BZXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320JV18-250BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320JV18-250BZXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1320JV18-250BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1320JV18-250BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1320JV18-250BZXI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于ZBT（Zero Bus Turnaround）类型，1.8V供电，250MHz工作频率，容量为72Mb（4M × 18位），带EB（Early Write）和流水线读/写功能，采用119-ball BGA封装（X=工业级温度范围：–40°C 至 +85°C）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、网络处理器（NPU）中的缓存与数据包缓冲，利用ZBT架构实现零等待总线切换，提升吞吐效率； - 电信基础设施：基站基带处理单元、ATM/SDH/OTN传输设备中用于实时帧缓存、FIFO及协议处理中间存储； - 高端工业与医疗成像系统：如数字X光、MRI等需高速采集与暂存大量图像数据的场景，依赖其低延迟与确定性访问特性； - 测试测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓冲，满足深度存储与高采样率同步需求； - 嵌入式实时系统：与FPGA或DSP协同工作（如Xilinx Zynq或TI C6000系列），作为片外高速共享SRAM，支撑多通道并行处理任务。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash或DRAM替代），而是聚焦于对时序敏感、要求纳秒级访问与无缝读写切换的关键缓存层。其工业级温度与高可靠性设计也适配严苛环境下的通信与工控应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320JV18-250BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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