Datasheet下载- 型号： CY7C1320CV18-250BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320CV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320CV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320CV18-250BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1320CV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1320CV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1320CV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×128K（2.3MB）QDR II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。其主要应用场景包括： - 高速网络设备：用于路由器、交换机、防火墙等的数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、FIB（转发信息库）临时存储，得益于QDR II+双沿采样与独立读/写端口，支持高吞吐、低延迟并发访问。 - 电信与基站设备：在4G/5G无线基站的基带处理单元（BBU）中，为FPGA或DSP提供低延迟、确定性时序的中间数据缓存，支撑实时信号处理（如FFT、信道编码/解码）。 - 测试测量与高端工业系统：在高速逻辑分析仪、协议分析仪或实时数据采集系统中，作为深度环形缓冲区，捕获并暂存高速串行数据流（如PCIe、JESD204B接口数据）。 - 军事与航空航天电子：适用于需宽温（–40°C ~ +85°C）、高可靠性及抗辐射加固设计的航电、雷达信号处理模块（需配合相应等级器件，本型号为商用级，但架构常被用于相关设计参考）。 该器件不适用于大容量长期存储（如SSD、Flash），也不用于通用计算主存；其核心价值在于纳秒级随机访问、无刷新需求、确定性时序及双端口并行能力，专为对带宽和延迟极度敏感的嵌入式实时系统而优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320CV18-250BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | 428-2173 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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