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  • 型号: CY7C1320CV18-200BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320CV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320CV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320CV18-200BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1320CV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1320CV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1320CV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的18位×128K(2.3Mbit)QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括:

- 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表(LUT)、FIB(转发信息库)缓存,得益于QDR II+双数据速率架构(读/写独立端口、200MHz时钟下等效400MT/s),可满足线速转发对低延迟、高带宽的需求。

- 电信与基站设备:在4G/5G基站基带处理单元(BBU)中,用于FPGA或DSP的高速暂存、信道编码/解码中间数据缓存,支持确定性访问时序和零等待周期操作。

- 测试测量仪器与高端FPGA协处理器系统:作为FPGA(如Xilinx Ultrascale/Kintex)的外部高速缓存或流数据缓冲,配合其LVDS接口实现稳定可靠的高速互连。

- 军事与航空电子:因其工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)、符合JESD22可靠性标准及无刷新设计(非易失性SRAM特性),适用于对实时性、可靠性和抗干扰要求严苛的嵌入式控制系统。

该器件采用165-ball FBGA封装(BZC后缀),支持先进热管理,适用于紧凑型高密度PCB布局。需注意其为并行接口SRAM,不适用于大容量主存场景,而是聚焦于低延迟、高吞吐的关键路径数据暂存。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

产品图片

产品型号

CY7C1320CV18-200BZC

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II

存储容量

18M(512K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

200MHz

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