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产品简介:
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CY7C1320CV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的18位×128K(2.3Mbit)QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表(LUT)、FIB(转发信息库)缓存,得益于QDR II+双数据速率架构(读/写独立端口、200MHz时钟下等效400MT/s),可满足线速转发对低延迟、高带宽的需求。 - 电信与基站设备:在4G/5G基站基带处理单元(BBU)中,用于FPGA或DSP的高速暂存、信道编码/解码中间数据缓存,支持确定性访问时序和零等待周期操作。 - 测试测量仪器与高端FPGA协处理器系统:作为FPGA(如Xilinx Ultrascale/Kintex)的外部高速缓存或流数据缓冲,配合其LVDS接口实现稳定可靠的高速互连。 - 军事与航空电子:因其工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)、符合JESD22可靠性标准及无刷新设计(非易失性SRAM特性),适用于对实时性、可靠性和抗干扰要求严苛的嵌入式控制系统。 该器件采用165-ball FBGA封装(BZC后缀),支持先进热管理,适用于紧凑型高密度PCB布局。需注意其为并行接口SRAM,不适用于大容量主存场景,而是聚焦于低延迟、高吞吐的关键路径数据暂存。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320CV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |