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- 型号： CY7C131E-55NXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C131E-55NXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C131E-55NXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C131E-55NXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C131E-55NXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C131E-55NXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C131E-55NXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为64K×8位（512Kb），访问时间为55ns，采用PLCC-32封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），支持3.3V单电源供电。 其主要应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC、运动控制器、人机界面（HMI）等，需高可靠性与宽温工作能力； - 通信设备：用于网络交换机、路由器中的缓冲存储、帧缓存或协议处理临时数据区； - 嵌入式系统：作为微控制器（MCU）或DSP的外部高速数据/代码存储扩展，适用于实时性要求高的场合； - 测试与测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需快速读写暂存采集数据； - 汽车电子（符合工业级温度）：车载信息娱乐系统、ADAS辅助模块中对低延迟SRAM有需求的子系统（需结合具体车规认证情况使用）； - 医疗电子设备：如便携式监护仪、影像前端处理单元的数据缓存。 该器件不带内置电池或非易失性特性，属易失性存储器，断电数据丢失，因此适用于需高速随机访问、无需掉电保持的场景。其55ns访问速度与稳定工业级性能，使其在传统嵌入式设计中仍具实用价值（尽管部分型号已停产，但仍在维护和替代设计中被参考）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8KBIT 55NS 52QFP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=47448 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CY7C131E-55NXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-PQFP（10x10） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量 | 8K （1K x 8） |
| 封装/外壳 | 52-BQFP |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 96 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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