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- 型号： CY7C1314SV18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314SV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314SV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314SV18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1314SV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1314SV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1314SV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的低电压、高速同步SRAM，属于存储器类别。该器件为2Mb（128K × 16位）双端口静态RAM，支持1.8V核心供电，最大工作频率200MHz（5ns读写周期），采用119-ball BGA封装（BZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 高性能通信设备：如网络交换机、路由器中的数据包缓冲、FIFO缓存及地址/内容查找表（CAM辅助存储）； - 工业与嵌入式系统：实时控制单元中需低延迟、确定性访问的共享内存区域，尤其适用于双CPU或处理器+FPGA协同架构（利用其双端口特性实现无冲突并行读写）； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集和暂存大量实时数据的场景； - 视频处理前端：帧缓冲或行缓冲，满足高清图像流的突发写入与连续读出需求； - 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 3）：高级驾驶辅助系统（ADAS）中的传感器数据缓存与预处理中间存储。 该芯片具备可编程等待状态、JTAG边界扫描、掉电模式等特性，兼顾速度、功耗与可靠性，适用于对时序严苛、需零等待访问且空间受限的中高端嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1314SV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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