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产品简介:
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CY7C1314KV18-250BZI 是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于异步FIFO存储器。该器件主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景,常见应用包括: 1. 通信设备:如路由器、交换机和基站设备中,用于数据包的高速缓存与流量控制; 2. 工业控制与自动化系统:用于实时数据采集与处理,提高系统响应速度; 3. 测试与测量仪器:作为高速数据采集系统的临时存储单元; 4. 网络处理器与嵌入式系统:为处理器提供高速缓冲,提升整体系统性能; 5. 图像处理设备:在图像采集与处理系统中用于帧缓存或中间数据存储; 6. 航空航天与汽车电子:在高可靠性要求的系统中提供快速数据存储支持。 该芯片具有18位数据宽度、异步FIFO结构、高速访问时间(250MHz)和低功耗设计,适合对数据传输速率和系统稳定性有较高要求的应用场合。其工业级温度范围和可靠性能,也使其适用于复杂环境下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49111 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1314KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1314KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |