图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314CV18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314CV18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314CV18-200BZI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1314CV18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1314CV18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1314CV18-200BZI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的1Mb(64K×16位)QDR-II+ SRAM。其主要应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的数据包缓存、队列管理及查找表(LUT)缓冲,得益于QDR-II+双数据速率架构(读/写独立端口、200MHz时钟下可达400MT/s吞吐率),可满足线速转发需求。 - 电信与基站设备:在4G/5G无线基站的基带处理单元中,用作FPGA或ASIC的低延迟、高带宽片外缓存,支撑实时信号处理(如FFT、信道编码/解码)的数据暂存。 - 测试测量与工业控制:高速示波器、逻辑分析仪等仪器中用于深度采样数据的实时缓存;高端PLC或运动控制器中实现确定性低延迟数据交换。 - 军事与航空航天:该器件为工业级扩展温度(–40°C 至 +85°C)且符合JESD22可靠性标准,适用于对稳定性与抗干扰要求严苛的加固型嵌入式系统。 注:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),Cypress/Infineon建议迁移到更新的QDR-IV或LPDDR系列,但现有系统仍广泛使用于上述成熟应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1314CV18-200BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |