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  • 型号: CY7C1314CV18-200BZI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314CV18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314CV18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314CV18-200BZI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1314CV18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1314CV18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1314CV18-200BZI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的1Mb(64K×16位)QDR-II+ SRAM。其主要应用场景包括:

- 高速网络设备:如路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的数据包缓存、队列管理及查找表(LUT)缓冲,得益于QDR-II+双数据速率架构(读/写独立端口、200MHz时钟下可达400MT/s吞吐率),可满足线速转发需求。

- 电信与基站设备:在4G/5G无线基站的基带处理单元中,用作FPGA或ASIC的低延迟、高带宽片外缓存,支撑实时信号处理(如FFT、信道编码/解码)的数据暂存。

- 测试测量与工业控制:高速示波器、逻辑分析仪等仪器中用于深度采样数据的实时缓存;高端PLC或运动控制器中实现确定性低延迟数据交换。

- 军事与航空航天:该器件为工业级扩展温度(–40°C 至 +85°C)且符合JESD22可靠性标准,适用于对稳定性与抗干扰要求严苛的加固型嵌入式系统。

注:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),Cypress/Infineon建议迁移到更新的QDR-IV或LPDDR系列,但现有系统仍广泛使用于上述成熟应用中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1314CV18-200BZI

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

18M(512K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

200MHz

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