Datasheet下载- 型号： CY7C1314CV18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314CV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314CV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314CV18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1314CV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1314CV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1314CV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1Mb（64K×16位）容量、18位数据总线（含16位数据+2位奇偶校验）、200MHz时钟频率、BGA封装（165-ball fine-pitch BGA）的低功耗双端口SRAM。 其核心应用场景聚焦于需要高速、实时、双向并行数据交换的嵌入式系统，典型包括： 1. 网络通信设备：如路由器、交换机中的包缓冲、FIFO队列和地址查找表（LUT），利用双端口特性实现读写端口独立操作，避免总线竞争； 2. 工业与汽车电子：在实时控制单元（如PLC、电机控制器）中作为CPU与DSP/FPGA间高速共享缓存，支持确定性低延迟数据交互； 3. 测试测量仪器：高速数据采集系统中用作临时数据暂存，配合ADC/DAC实现无缝流式处理； 4. 军事/航天领域：因具备宽温范围（–40°C至+85°C）、高可靠性及抗单粒子翻转（SEU）设计，适用于加固型嵌入式系统。 该芯片支持QDR（Quad Data Rate）兼容模式、可编程输出驱动强度及JTAG边界扫描，便于系统调试与集成。需注意其已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌后续替代型号（如PSRAM或新型双端口SRAM）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1314CV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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