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- 型号： CY7C1312SV18-167BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312SV18-167BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312SV18-167BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312SV18-167BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312SV18-167BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312SV18-167BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312SV18-167BZXC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。该器件为16Mb（1M × 16位）容量、1.8V供电、167MHz（6ns周期）工作频率的QDR II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM，采用165-ball BGA封装（BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C）。 其主要应用场景集中于对带宽、低延迟和确定性访问时序要求极高的中高端嵌入式与通信系统，例如： - 网络设备中的高速缓存与缓冲，如路由器、交换机的包处理引擎（Packet Buffer、TCAM辅助缓存）、网络处理器（NPU）的本地暂存； - 电信基础设施，如基站（BBU/RRU）中的FPGA协处理缓存、CPRI/eCPRI接口数据缓冲； - 高性能测试仪器、雷达信号处理、实时图像采集系统中作为FPGA或DSP的高速外扩数据缓冲区； - 工业自动化控制器中需纳秒级响应的实时控制数据交换缓冲。 得益于QDR II+双沿采样+读写分离端口架构，它可在单周期内实现高达334MT/s的有效吞吐率，特别适合读写频繁交替、需高吞吐与零等待的流水线型应用。不适用于大容量主存或低成本消费类场景（如手机、PC内存），亦非Flash或DRAM替代品。
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