Datasheet下载- 型号： CY7C12681KV18-400BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C12681KV18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C12681KV18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C12681KV18-400BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C12681KV18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C12681KV18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C12681KV18-400BZC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 1.8V 供电、1M × 18 位（18Mb）、400MHz（2.5ns 周期）的 QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、网络处理器（NPU）的数据包缓冲、FIFO 和查找表（如TCAM辅助缓存），得益于QDR-II+双数据速率、独立读写端口及低延迟特性，可满足线速转发需求。 - 电信与基站设备：在 4G/5G 基带处理单元、无线接入网（RAN）中用作信道编码/解码中间缓存、FFT 数据暂存或MAC层队列管理，支持高吞吐与确定性时序。 - 测试测量与高端FPGA协处理器系统：作为FPGA（如Xilinx UltraScale/Kintex）的外部高速缓存或流数据缓冲，配合其并行接口实现实时信号处理、视频帧缓存或协议分析。 - 军事与航空电子：适用于需宽温（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及抗辐射设计的嵌入式系统（该型号为工业级封装BGA，符合JEDEC标准）。 该器件不适用于大容量、低成本存储场景（如主内存或闪存替代），而是聚焦于对带宽、时序精度和低访问延迟有严苛要求的中等容量高速缓存应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C12681KV18-400BZC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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