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- 型号： CY7C1263V18-400BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1263V18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1263V18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1263V18-400BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1263V18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1263V18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1263V18-400BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别。该器件为1.8V供电、256K × 36位（共9Mb）的QDR-II+ SRAM，最大工作频率达400MHz（周期时间2.5ns），采用165-ball BGA封装（ZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB缓存及队列管理，利用QDR-II+双数据速率、读写端口分离特性实现零等待、高吞吐并行访问； - 通信基站与无线基础设施：在5G基带处理单元（BBU）中用作FPGA或DSP的低延迟本地缓存，支撑实时信号处理（如FFT、信道编码/解码）； - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪中作为深度采样缓存，满足高速数据持续捕获与实时分析需求； - 军事/航空电子系统：在雷达信号处理、航电数据记录等对可靠性、宽温（工业级-40℃~85℃）和抗干扰性要求严苛的场景中提供确定性低延迟存储。 注：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如CY7C1263V18-400BZI或更新的QDR-IV系列），但现有设备仍广泛用于上述成熟系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1263V18-400BZC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 8） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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