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产品简介:
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CY7C12481KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌 Technologies)推出的高性能同步静态RAM(SSRAM),属于存储器类别。该器件为18Mb(1024K × 18位)容量、3.3V供电、400MHz(2.5ns周期)工作频率的QDR™ II+ SRAM,支持双数据速率读/写,具备独立读写端口与流水线操作,适用于高带宽、低延迟场景。 典型应用场景包括: - 网络通信设备:如高端路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的缓存、FIFO、队列管理及包缓冲,满足高速报文处理对吞吐与确定性延迟的要求; - 电信基础设施:基站基带单元(BBU)、光传输系统(OTN/SDH)中的时隙交换、信元/分组缓存; - 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓冲,利用其突发访问能力实时捕获海量采样数据; - 军事/航空电子系统:雷达信号处理、实时图像缓存等对可靠性与温度适应性(工业级-40°C~+85°C,BZXC后缀)要求严苛的场景; - FPGA协处理系统:作为Xilinx或Intel FPGA的高速外置缓存,扩展片上BRAM资源,支撑视频流处理、AI边缘推理中间数据暂存。 其QDR II+架构、无总线争用、支持背靠背读写等特性,使其在需持续双向高吞吐(可达1.6 GB/s以上)且时序严格的嵌入式系统中具有不可替代性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY7C12481KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II+ |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |