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产品简介:
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CY7C11651KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌 Technologies)推出的高性能同步静态随机存取存储器(SSRAM),具体为 1.8V、2M × 18 位(36Mb)、400MHz(2.5ns 周期)的 QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、FIFO、查找表(LUT)和流量管理单元,得益于QDR-II+双数据速率与独立读/写端口,可实现无冲突并发访问,满足线速处理需求。 - 电信基础设施:在基站基带处理、OTN/SDH传输设备中,用作DSP/FPGA的低延迟、高吞吐外置缓存,支撑实时信号处理与协议解析。 - 高端测试与测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,利用其确定性时序与零等待周期特性,确保精确采样与实时触发。 - 军事与航空航天电子系统:在雷达信号处理、电子战(EW)设备中,提供抗辐射加固(该型号为工业级,非宇航级;实际应用需结合具体认证版本)及宽温稳定性(–40°C 至 +85°C),适用于严苛环境下的实时数据暂存。 - FPGA协处理器扩展内存:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为片外高速共享存储,提升图像处理、AI边缘推理等带宽密集型任务性能。 注:该器件已进入Cypress产品生命周期终止(EOL)阶段,当前设计建议评估英飞凌推荐替代型号(如PSRAM或新型QDR-IV器件),并注意停产风险与供货策略。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY7C11651KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II+ |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |