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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1163KV18-400BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1163KV18-400BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1163KV18-400BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1163KV18-400BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1163KV18-400BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1163KV18-400BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1163KV18-400BZI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）架构的18位总线宽度器件，工作频率达400MHz（周期时间2.5ns），支持双数据速率读/写操作，具备低延迟、高吞吐量特性。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，满足线速转发对纳秒级访问延迟的要求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的信元/帧缓存、时隙交换缓冲； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存，用于实时捕获和暂存高带宽信号流； - 军事/航空电子系统：雷达信号处理、实时图像处理等对可靠性（该型号为工业级温度范围–40°C至+85°C，且含“ZI”后缀，代表无铅、符合RoHS、支持扩展温度及增强可靠性设计）和确定性时序有严苛要求的场景； - FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的高速外部存储器，用于构建大容量片外高速缓存或双端口共享内存。 该器件采用208-pin BGA封装（BZI），支持可编程输出驱动强度、JTAG边界扫描，便于系统集成与调试。需注意其为并行接口SRAM，非Flash或DRAM，不适用于大容量长期存储，而是专为低延迟、高带宽中间缓存而优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49126 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1163KV18-400BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1163KV18400BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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