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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1145KV18-400BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1145KV18-400BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1145KV18-400BZXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1145KV18-400BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1145KV18-400BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1145KV18-400BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、18位数据总线、256K×18(即4.5Mb)容量的QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)SRAM。其主要应用场景包括: - 高速网络设备:广泛用于路由器、交换机、防火墙等核心数据路径中,作为包缓冲、查找表(如TCAM辅助缓存)、队列管理及流量整形的高速暂存器,得益于QDR-II+双沿+双端口特性,可实现读写并发、高达800MT/s的有效带宽。 - 电信与基站设备:在4G/5G无线基站(BBU/RRU)、光传输系统(OTN、SDH)中,用于实时信号处理缓冲、FPGA/ASIC协处理器的高速本地内存,满足低延迟、确定性时序要求。 - 测试测量与军工航空:适用于高速数据采集卡、雷达信号处理、航电系统等对可靠性(该型号为工业级温度范围–40°C~+85°C,含X代表扩展工业级)、抗干扰性及长期供货稳定性要求严苛的场景。 - 高端工业控制与视频处理:在多通道高清视频编解码器、机器视觉系统中,用作帧缓存或FIFO缓冲,支撑高吞吐图像流的无缝读写。 注:该器件已进入产品生命周期后期(Cypress官网标注为NRND,Not Recommended for New Designs),新设计建议评估英飞凌推荐替代型号(如PSRAM或更新代QDR SRAM)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49125 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1145KV18-400BZXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1145KV18400BZXI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II+ |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |