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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1021BN-15VI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1021BN-15VI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1021BN-15VI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1021BN-15VI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1021BN-15VI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1021BN-15VI 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为128K × 8位(即1 Mbit),访问时间为15 ns,采用工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),封装为44-pin TSOP II(CY7C1021BN-15VI 中的“V”代表TSOP,“I”代表工业级)。 该器件主要应用于对读写速度、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式系统中。典型应用场景包括: - 工业控制设备(如PLC、HMI人机界面、运动控制器)中的高速缓存或临时数据缓冲; - 通信设备(如路由器、交换机、基站接口模块)中用于帧缓存、FIFO暂存或协议处理中间数据存储; - 医疗电子设备(如便携式监护仪、影像采集前端)中需快速存取实时信号数据的场景; - 航空航天与国防领域(因工业级温宽和成熟可靠性)中的加固型工控板、数据采集卡等; - 遗留系统升级与替代——作为经典并行接口SRAM,常用于替换老型号(如IS61LV1024、AS6C1008),兼容标准地址/数据总线设计。 其无需时钟、无刷新操作、支持全静态工作(待机电流低至数微安),适合电池供电或对确定性时序敏感的应用。随着串行接口(如SPI/QSPI)Flash/NVRAM普及,该芯片多见于注重确定性延迟、高吞吐并行访问的传统嵌入式平台。