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  • 型号: CY7C1021B-12VI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1021B-12VI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1021B-12VI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1021B-12VI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1021B-12VI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1021B-12VI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1021B-12VI 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为128K × 8位(1 Mbit),访问时间为12 ns,采用3.3V单电源供电,封装为44-pin TSOP II(工业级温度范围:–40°C 至 +85°C),后缀“VI”即代表该工业级版本。

其典型应用场景包括:  
- 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和运动控制器中,用作高速缓存或临时数据缓冲,满足实时响应与宽温可靠性要求;  
- 通信设备:在交换机、路由器、基站基带板等中,作为FPGA或DSP的片外高速数据缓存,支撑突发数据吞吐与低延迟处理;  
- 嵌入式系统:用于需要确定性时序和零等待状态运行的场景,例如医疗成像设备的数据暂存、测试测量仪器(如示波器、逻辑分析仪)的采集缓存;  
- 汽车电子(非安全关键域):在车载信息娱乐系统(IVI)或车身控制模块中,承担快速读写任务(需注意该型号为工业级,非AEC-Q100认证,故不适用于ASIL-B及以上功能安全应用)。

该器件不具掉电保持能力,需外部供电维持数据,因此适用于主电源稳定、对读写速度和时序精度要求严苛,但无需非易失性的中高端嵌入式场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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