Datasheet下载- 型号： CY7C1011DV33-10BVXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1011DV33-10BVXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1011DV33-10BVXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1011DV33-10BVXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1011DV33-10BVXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1011DV33-10BVXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1011DV33-10BVXI是赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor Corp）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于低功耗、高性能的CMOS异步SRAM器件。该型号为512K × 16位（即总容量为8Mbit）的并行接口SRAM，工作电压为3.3V，存取速度可达10ns，适用于对读写速度和稳定性要求较高的场合。 其主要应用场景包括：工业控制设备中的缓存与数据暂存，如PLC控制器、自动化仪表等；通信设备中的网络交换机、路由器及基站模块，用于快速数据缓冲；嵌入式系统中作为微处理器或DSP的外部高速存储器，提升系统响应能力；此外还广泛应用于测试测量仪器、医疗电子设备、航空航天及军事电子系统中，满足严苛环境下的可靠运行需求。 由于该器件采用无铅、无卤素的TQFP封装（44引脚），符合RoHS环保标准，适合高密度电路板布局，具备良好的温度适应性（工业级工作温度范围），因此在需要稳定、高速、低延迟存储性能的领域具有重要价值。随着部分新型异步SRAM逐步替代，该型号仍在许多存量设计和长期供货项目中保持广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 10NS 48VFBGA静态随机存取存储器 2Mb 10ns3.3V 128Kx16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1011DV33-10BVXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46795 |
| 产品型号 | CY7C1011DV33-10BVXI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 48-VFBGA（6x8） |
| 其它名称 | 428-1961 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （128K x 16） |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 48-VFBGA |
| 封装/箱体 | VFBGA-48 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 480 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 90 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1011DV33 |
| 组织 | 128 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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