Datasheet下载- 型号： CY7C1006D-10VXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1006D-10VXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1006D-10VXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1006D-10VXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1006D-10VXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1006D-10VXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1006D-10VXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K×1（即64Kb，8KB），组织形式为65,536 × 1位，访问时间为10ns（-10速度等级），采用宽温工业级封装（VXI表示–40°C 至 +85°C工作温度范围），SOIC-28封装。 其典型应用场景包括： - 嵌入式系统缓存/缓冲：用于微控制器、DSP或FPGA的高速数据暂存，如通信协议栈中的帧缓冲、实时信号处理中间结果暂存； - 工业控制设备：PLC、人机界面（HMI）、运动控制器中需快速读写、高可靠性的关键状态寄存器或配置表存储； - 网络与通信设备：早期以太网交换芯片、路由器ASIC的配套外置SRAM，用于MAC地址表、包缓存或FIFO扩展； - 测试测量仪器：数字示波器、逻辑分析仪等需高速采集并临时存储采样数据的场景； - 汽车电子（限工业级应用）：车载信息娱乐系统或ADAS原型开发中对温度适应性要求较高的非安全关键数据缓存（需注意该型号非AEC-Q200认证，故不用于量产车规核心模块）。 该器件无内置电池、无需刷新、支持异步读写，接口简单（地址/数据/控制线分离），适合对功耗不敏感但强调确定性低延迟的中小容量高速缓存场景。随着集成度提升，现多被片上RAM或更密集的DDR/LPDDR替代，但仍见于部分legacy设计维护及特定可靠性要求的工控领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 10NS 28SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1006D-10VXI |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOJ |
| 其它名称 | 428-2002-5 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M（256k x 4） |
| 封装/外壳 | 28-BSOJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 27 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 10ns |
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