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- 型号： CY62157EV18LL-45BVXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62157EV18LL-45BVXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62157EV18LL-45BVXI价格参考。Cypress SemiconductorCY62157EV18LL-45BVXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62157EV18LL-45BVXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62157EV18LL-45BVXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62157EV18LL-45BVXI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能异步SRAM，属于高速低功耗静态存储器。其关键特性包括：2MB容量（128K × 18位）、3.3V供电、45ns超快访问时间、BGA封装（119-ball fine-pitch）、支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及符合RoHS标准。 该器件典型应用于对实时性、可靠性和低延迟要求严苛的嵌入式系统中，例如： - 通信设备：网络交换机/路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲、MAC层临时存储； - 工业控制与自动化：PLC、运动控制器、实时I/O模块中作为CPU或FPGA的高速本地工作内存； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量采样数据的场景； - 航空与国防电子：雷达信号处理、航电系统中用于实时数据交换和双端口（通过外部逻辑模拟）操作； - 医疗成像设备：如超声或数字X光系统中图像帧缓存与预处理缓冲。 其18位数据总线支持灵活的数据宽度配置（可适配16位+2位校验），配合低功耗设计与高抗干扰能力，特别适合需要确定性响应、无刷新需求且不容许DRAM延迟或掉电丢失数据的关键任务场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62157EV18LL-45BVXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 48-VFBGA（6x8） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.65 V ~ 2.25 V |
| 速度 | 45ns |
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