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- 型号： CY62157CV18LL-55BAI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62157CV18LL-55BAI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62157CV18LL-55BAI价格参考。Cypress SemiconductorCY62157CV18LL-55BAI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62157CV18LL-55BAI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62157CV18LL-55BAI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62157CV18LL-55BAI 是 Cypress（现属英飞凌）推出的高速异步CMOS静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1Mb（128K × 8位/64K × 16位可配置）低功耗、3.3V供电的SRAM，具备55ns访问时间、工业级工作温度（–40°C 至 +85°C）及符合AEC-Q100标准的汽车级版本（后缀“AI”即表示 Automotive Industrial grade）。 其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：如车载信息娱乐主机（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的图像缓存与实时数据缓冲； - 工业控制设备：PLC、人机界面（HMI）、运动控制器等需高可靠性、宽温运行及抗干扰能力的嵌入式系统； - 通信设备：网络交换机/路由器中的报文暂存、FPGA或DSP协处理器的高速本地数据缓存； - 医疗仪器：便携式监护仪、影像采集模块中对数据吞吐与时序确定性要求严格的临时存储环节。 该芯片采用BGA封装（48-ball fine-pitch），适合紧凑型高密度PCB设计，并支持多种省电模式（待机/深度掉电），兼顾性能与能效。其“LL”后缀代表低漏电工艺，“18”表示18-bit地址总线兼容性，整体定位为中高端嵌入式系统中对速度、稳定性和环境适应性有严苛要求的易失性内存解决方案。
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