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- 型号： CY62136VNLL-70ZSXE
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62136VNLL-70ZSXE由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62136VNLL-70ZSXE价格参考。Cypress SemiconductorCY62136VNLL-70ZSXE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62136VNLL-70ZSXE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62136VNLL-70ZSXE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62136VNLL-70ZSXE 是 Cypress（现属英飞凌）推出的高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为2 Mbit（256K × 8），工作电压3.3V，访问时间70ns，采用44-pin TSOP II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）。 其典型应用场景包括： 1. 工业控制设备：如PLC、HMI人机界面、运动控制器等，需快速、可靠的数据缓存与实时暂存； 2. 通信设备：用于网络交换机、路由器、光模块中的帧缓冲、FIFO或协议处理中间数据暂存； 3. 嵌入式系统：作为微控制器（MCU）或FPGA的外部高速缓存/工作RAM，弥补片内RAM容量不足（尤其适用于无DDR控制器的中低端FPGA或SoC）； 4. 医疗电子与测试仪器：在便携式监护仪、数字示波器、逻辑分析仪中承担高速采样数据的临时存储； 5. 汽车电子（非安全关键域）：如车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块中对温度和可靠性有要求的非ASIL级数据缓冲场景。 该器件不适用于大容量主存或长期掉电存储（非易失性），亦不支持DDR接口，需搭配地址/数据总线直接连接。其70ns访问速度与TSOP封装适合对成本、功耗与稳定性敏感，且无需极高带宽的中端嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62136VNLL-70ZSXE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （128K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 270 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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