【未分类_CY14B104N-BA20XI】封装/厂家_CY14B104N-BA20XI中文资料_价格

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型号： CY14B104N-BA20XI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-BA20XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-BA20XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-BA20XI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY14B104N-BA20XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104N-BA20XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY14B104N-BA20XI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），采用SOIC-28封装，工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级，后缀“XI”标识）。其核心特点是无需外部电池即可实现断电数据保存（基于内部自动能量收集与电容备份机制），兼具SRAM的高速读写（20 ns访问时间）与EEPROM/Flash的数据持久性。

典型应用场景包括：  
✅ 工业自动化——PLC、运动控制器中用于实时缓存关键运行参数、故障日志及校准数据，断电瞬间自动保存，确保系统重启后状态可恢复；  
✅ 通信设备——基站、交换机、路由器中的配置寄存器、计数器和会话表缓存，兼顾低延迟访问与掉电可靠性；  
✅ 医疗电子——监护仪、影像设备中存储患者设置、校准值及临时诊断数据，满足IEC 62304安全要求；  
✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 2）——车载仪表盘、ADAS控制单元中记录里程、故障码（DTC）、传感器标定信息等需长期可靠保存的非安全关键数据；  
✅ 金融终端——POS机、ATM中暂存交易流水、密钥操作上下文，防止突发断电导致数据丢失或不一致。

该器件替代传统电池供电SRAM，免维护、无泄漏风险，适用于对数据完整性、写入寿命（无限次读写）、抗冲击/宽温稳定性有较高要求的嵌入式系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY14B104N-BA20XI
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	48-FBGA（6x10）
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	4M （256K x 16）
封装/外壳	48-TFBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	299
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	20ns