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产品简介:
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CY14B104L-BA45XIT是Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的一款4 Mbit(512K × 8)串行F-RAM(铁电随机存取存储器),属于非易失性存储器。其主要应用场景包括需要高速写入、高耐久性和低功耗的数据存储场合。 该器件广泛应用于工业控制、医疗设备、汽车电子和通信系统中。例如,在工业自动化设备中,用于实时保存传感器数据、配置参数或运行日志,即使断电也能可靠保存;在医疗仪器中,用于记录患者数据和设备校准信息,确保数据安全不丢失;在汽车电子中,可用于记录车辆运行状态、故障码等信息,满足车规级可靠性要求。 由于F-RAM兼具RAM的高速读写特性和ROM的非易失性,且写入寿命高达10^12次,远超传统EEPROM和闪存,因此特别适合频繁写入的应用场景。此外,CY14B104L-BA45XIT采用SPI接口,工作电压为2.7V至3.6V,支持45MHz高速时钟,响应速度快,无需写等待时间,提升了系统效率。 综上,CY14B104L-BA45XIT适用于对数据写入速度、耐久性和可靠性要求较高的嵌入式系统,是替代传统EEPROM和SRAM+备份电池方案的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CY14B104L-BA45XIT |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 48-FBGA(6x10) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
存储容量 | 4M (512K x 8) |
封装/外壳 | 48-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
速度 | 45ns |