图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104L-BA45XC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104L-BA45XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104L-BA45XC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14B104L-BA45XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14B104L-BA45XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104L-BA45XC 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌)推出的 4-Mbit(512K × 8)非易失性静态RAM(nvSRAM),采用SOIC-44封装,工作温度范围为–40°C 至 +85°C,支持工业级应用。 其核心特点是无需电池即可实现数据永久保存:在断电瞬间自动将SRAM数据安全转移至内部EEPROM单元;上电时自动恢复,读写操作与普通SRAM完全一致(无写入延时、无限次读写),同时EEPROM部分支持100万次擦写及20年数据保持。 典型应用场景包括: ✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保断电不丢数; ✅ 通信基础设施:基站、交换机、光模块中的配置寄存器缓存与配置备份; ✅ 医疗电子设备:监护仪、输液泵等需符合IEC 62304标准的系统,用于可靠存储患者设置、事件记录和校准值; ✅ 智能电表/能源管理系统:存储累计电量、费率时段、异常事件等需长期保留且频繁更新的数据; ✅ 汽车电子(车载信息娱乐、ADAS辅助模块):满足AEC-Q100 Grade 3要求(该型号为工业级,但部分衍生版本用于车规场景),适用于非安全关键但需高可靠性数据暂存的子系统。 该器件替代传统电池供电SRAM或EEPROM+SRAM组合方案,显著提升系统可靠性、简化设计并降低维护成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104L-BA45XC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA(6x10) |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 4M (512K x 8) |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |