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- 型号： CY14B101L-SZ45XC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B101L-SZ45XC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B101L-SZ45XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B101L-SZ45XC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B101L-SZ45XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B101L-SZ45XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B101L-SZ45XC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的 1-Mbit（128K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），具备“无需电池、自动数据保存”特性。其核心应用场景聚焦于需高可靠性、零延迟读写及断电即时数据保护的工业与关键系统。 典型应用包括： - 工业自动化设备：PLC、运动控制器、HMI人机界面中，用于实时缓存运行参数、I/O状态或故障日志，确保突发断电时不丢失关键过程数据； - 通信基础设施：基站、路由器、交换机中的配置寄存器、MAC地址表或会话状态存储，保障热插拔或供电异常时配置不重置； - 医疗电子设备：如监护仪、输液泵，存储患者设置、报警阈值或最近测量数据，满足医疗安全与数据完整性要求； - 智能电表与能源管理系统：记录用电事件、需量数据及断电时间戳，符合AMI（高级计量架构）对数据持久性的严苛规范； - 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS辅助模块）：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高振动环境下，保存校准参数或诊断故障码（DTC），支持AEC-Q100 Grade 3认证（该型号符合）。 其优势在于：替代传统SRAM+电池方案，消除电池漏液、失效风险；读写速度达45ns（与普通SRAM一致）；通过内部自动能量采集电路，在VCC跌落时毫秒级将SRAM数据转存至内部SONOS非易失单元，实现100万次擦写、20年数据保持。适用于对实时性、可靠性和免维护性要求极高的嵌入式场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 45NS 32SOIC |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B101L-SZ45XC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-SOIC |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 22 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |
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