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  • 型号: CSD25303W1015
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25303W1015由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25303W1015价格参考。Texas InstrumentsCSD25303W1015封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD25303W1015参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD25303W1015 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGAMOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3 A

Id-连续漏极电流

- 3 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD25303W1015NexFET™

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产品型号

CSD25303W1015

PCN封装

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

56 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

56 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

435pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

58 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DSBGA(1x1.5)

其它名称

296-28317-6

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25303W1015

功率-最大值

1.5W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UFBGA,DSBGA

封装/箱体

DSBGA-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Tc)

系列

CSD25303W1015

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

配置

Single

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