Datasheet下载- 型号： CSD25303W1015
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25303W1015由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25303W1015价格参考。Texas InstrumentsCSD25303W1015封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25303W1015参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25303W1015 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGAMOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD25303W1015NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD25303W1015 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 56 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 56 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 其它名称 | 296-28317-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25303W1015 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | CSD25303W1015 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 配置 | Single |
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