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  • 型号: CSD16408Q5
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16408Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16408Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16408Q5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD16408Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16408Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SONMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

113 A

Id-连续漏极电流

113 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16408Q5NexFET™

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产品型号

CSD16408Q5

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-栅极电荷

6.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.4 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

上升时间

25 ns

下降时间

10.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

8-SON

其它名称

296-25321-6

典型关闭延迟时间

11 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16408Q5

功率-最大值

3.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A(Ta), 113A(Tc)

系列

CSD16408Q5

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single Quad Drain Triple Source

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