Datasheet下载- 型号： CSD16408Q5
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16408Q5由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16408Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16408Q5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16408Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16408Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16408Q5 是德州仪器（Texas Instruments）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用5mm×6mm PowerTDFN封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达90A连续，脉冲180A）及优异的开关性能。其主要应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步降压（Buck）转换器，作为高效高侧或低侧开关，配合TI的TPS53xxx系列控制器实现高效率、高功率密度设计。 • 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机驱动模块（如风扇、泵、电动工具），支持PWM高频开关，降低导通与开关损耗。 • 负载开关与热插拔电路：凭借低Rds(on)和集成ESD保护（HBM 2kV），常用于板级电源管理，实现快速、低损耗的上电控制与过流保护。 • 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、电池保护电路中的主开关或均衡开关，满足低功耗与高可靠性要求。 该器件支持逻辑电平驱动（3.3V/5V TTL兼容），简化驱动设计；符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车载辅助系统（如ADAS电源模块）。整体以高效率、小尺寸和强鲁棒性，服务于高性能、紧凑型电源与功率控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SONMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 113 A |
| Id-连续漏极电流 | 113 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16408Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16408Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-栅极电荷 | 6.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 10.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-25321-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16408Q5 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A（Ta）， 113A（Tc） |
| 系列 | CSD16408Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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