【未分类_CPH6416-TL-E】封装/厂家_CPH6416-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH6416-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6416-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6416-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH6416-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH6416-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6416-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6416-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，采用SOT-363（SC-70）小型封装，具有低栅极电荷（Qg ≈ 1.2 nC）、高开关速度、优异的RF增益与效率特性（fT ≈ 500 MHz），适用于低电压、中等功率射频信号放大与开关场景。

典型应用场景包括：  
1. 便携式无线设备射频前端：如蓝牙（BLE）、Zigbee、Sub-GHz（如868/915 MHz）无线模块中的驱动级或末级功率放大器（PA）；  
2. 低功耗IoT节点：用于传感器汇聚节点、遥控器、无线门铃等对尺寸、功耗和成本敏感的设备中的RF信号放大或天线开关控制；  
3. AM/FM接收机与短距离通信收发器：作为低噪声放大器（LNA）或缓冲放大器，配合匹配网络实现高增益与良好输入输出阻抗匹配；  
4. 分立式射频开关与调制电路：利用其快速开关特性实现T/R切换或脉冲调制功能。

该器件工作电压范围宽（VDS=12 V，VGS=±12 V），ESD防护等级达HBM 2 kV，适合在空间受限且需稳定RF性能的消费类与工业级应用中替代传统RF晶体管或集成方案。需注意PCB布局时优化接地、缩短引线并合理设计匹配网络以发挥最佳射频性能。

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