【未分类_CPH6413-TL-E】封装/厂家_CPH6413-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH6413-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6413-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6413-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH6413-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH6413-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6413-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6413-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，采用SOT-723（0.8×0.6 mm）超小型封装，具备低栅极电荷（Qg ≈ 0.5 nC）、快速开关特性及优异的RF增益与效率。其典型应用场景包括：

1. 手机及便携式终端的射频前端模块（FEM）：用于2G/3G/4G LTE频段（如700–2700 MHz）的功率放大器（PA）驱动级或末级开关，支持TDD-LTE时分双工切换控制；  
2. 无线通信设备中的射频开关与天线调谐：凭借低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.4 Ω @ Vgs=4.5V）和高线性度，适用于多模多频智能手机的天线阻抗匹配与路径切换；  
3. Wi-Fi 2.4 GHz / 5 GHz射频收发链路：作为低功耗、高隔离度的单刀双掷（SPDT）或单刀多掷（SPnT）开关核心器件；  
4. 物联网（IoT）与可穿戴设备：因尺寸微小、功耗低、ESD防护能力强（HBM > 2 kV），适用于空间受限的蓝牙/BLE、Zigbee等短距无线模块。

该器件工作电压范围为2.5–5.5 V，支持逻辑电平直接驱动，无需外部电平转换，简化电路设计。需注意其非专用于大功率输出（连续波功率≤0.5 W），不适用于基站或高功率工业RF应用。

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