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- 型号： CPH6337-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6337-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6337-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6337-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH6337-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6337-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6337-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-457（即CPH6）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度、小尺寸及良好热性能等特点。其额定电压为30V，连续漏极电流达5.5A（Ta=25°C），适用于中低功率、高效率、空间受限的DC-DC电源转换场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升转换效率并减小发热； ✅ 电机驱动与负载控制：用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥或单边驱动，以及继电器/电磁阀等感性负载的开关控制； ✅ USB PD与快充模块：在多路输出或输入路径管理中实现高效、低损耗的电源路径切换； ✅ 工业与IoT终端：如传感器节点、PLC模块中的板级电源分配与过流保护开关。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.2V），可直接由MCU GPIO控制，无需额外驱动电路，简化设计。其无铅、符合RoHS标准，适用于自动化贴片生产。需注意在高频开关应用中合理布局PCB以抑制寄生振荡，并在感性负载场合加装续流二极管或TVS保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH6337-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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