【未分类_CPH5846-TL-E】封装/厂家_CPH5846-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH5846-TL-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5846-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5846-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH5846-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH5846-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH5846-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH5846-TL-E 是安森美（onsemi）推出的高性能N沟道增强型射频MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-563），专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型应用场景包括：  
1. 蜂窝通信前端模块：适用于2G/3G/4G LTE频段（如700–2700 MHz）的手机、物联网终端及基站射频功率放大器（PA）末级或驱动级；  
2. 无线基础设施：用于小基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）中的低功耗射频功放单元；  
3. ISM频段设备：支持915 MHz、2.4 GHz等工业/科学/医疗频段，应用于无线传感器网络、RFID读写器、智能电表及Wi-Fi 6/蓝牙共存系统中的射频开关与放大电路；  
4. 便携式射频设备：凭借低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.4 Ω @ VGS=4.5V）、快速开关特性及高增益（fT ≈ 5.5 GHz），适用于电池供电的紧凑型射频模块，兼顾能效与散热性能。  
该器件集成ESD保护，具备良好热稳定性与可靠性，适用于空间受限、需中等输出功率（数百mW级）及高线性度的射频应用。

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