【未分类_CPH5819-TL-E】封装/厂家_CPH5819-TL-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CPH5819-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5819-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5819-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH5819-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH5819-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH5819-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH5819-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，采用小型SOT-563封装，具有低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）、高增益（fT ≈ 7 GHz）、低导通电阻（Rds(on)典型值2.5 Ω @ Vgs=4.5V）及优良的射频线性度与效率。其主要应用场景包括：

1. 蜂窝通信前端模块：适用于2G/3G/4G LTE频段（如700–2700 MHz）的功率放大器（PA）驱动级或末级，尤其适合中低功率（<1W）发射链路；  
2. 无线基础设施：用于小型基站（pico/femto cell）、分布式天线系统（DAS）中的射频开关与缓冲放大器；  
3. 物联网（IoT）与可穿戴设备：因尺寸小、功耗低，适用于蓝牙、Wi-Fi（2.4 GHz）、Zigbee等短距离无线收发模块中的射频开关或低噪声放大器（LNA）后级驱动；  
4. RFID读写器与智能电表：在UHF频段（860–960 MHz）实现高效调制信号放大；  
5. 消费类射频模块：如无线音频传输、遥控器、车载无钥匙进入（RKE）系统的射频功率控制单元。

该器件不适用于大功率基站主功放（需更高Pout和散热能力），但凭借高集成度、快速开关特性及良好ESD防护（HBM >2 kV），在空间受限、能效敏感的中低功率射频应用中具备显著优势。

产品参数图文手册常见问题