【未分类_CPH5616-TL-E】封装/厂家_CPH5616-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH5616-TL-E
制造商： SNY
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5616-TL-E由SNY设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5616-TL-E价格参考。SNYCPH5616-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH5616-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH5616-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH5616-TL-E 是安森美（onsemi）出品的双通道N沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-563封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括：

1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口电源控制，利用双MOSFET结构实现高效、紧凑的双向/分路供电控制。

2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在小型升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在低压大电流场合，如3.3V/5V输出级）。

3. 电机驱动与IO接口保护：适用于微型振动马达、LED灯带或传感器模块的H桥简易驱动（配合外部逻辑）或GPIO隔离/电平转换缓冲。

4. 电池供电系统保护电路：如电池充放电路径管理、反向电流阻断、过流软关断等，得益于其低阈值电压（Vth≈1.0–1.8V）和良好热性能。

该器件支持±12V栅源耐压、连续漏极电流达±3.5A（Ta=25℃），具备ESD防护（HBM 2kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率嵌入式应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘以保障温升可控。

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