【未分类_CPH3445-TL-E】封装/厂家_CPH3445-TL-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CPH3445-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3445-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3445-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3445-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH3445-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH3445-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH3445-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型射频MOSFET，采用小型表面贴装SOT-416（SC-75）封装，具有低栅极电荷、快速开关特性及优异的RF增益与效率。其典型应用场景包括：

• 高频无线通信前端：适用于2.4 GHz ISM频段（如Wi-Fi 802.11b/g/n、Zigbee、蓝牙）的功率放大器（PA）和射频开关驱动电路；  
• 便携式射频模块：因尺寸小（1.6×1.6×0.7 mm）、功耗低，广泛用于智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等对空间和能效敏感的终端；  
• 中低功率RF发射电路：支持DC–4 GHz工作频率，典型增益达12 dB @ 2.4 GHz，输出功率可达+20 dBm（约100 mW），适合短距离无线传输模块；  
• 高效率DC-DC转换辅助电路：在部分射频电源管理设计中，用作同步整流或负载开关控制器件（非主功率路径，需结合具体应用评估）。  

该器件不适用于大功率基站或工业级高电压/高温场景（额定VDS=20 V，ID=0.5 A，Tj≤150℃），设计时需注意PCB布局以抑制寄生电感、优化热传导，并配合匹配网络实现阻抗调谐。总体而言，CPH3445-TL-E是面向消费类低功耗射频系统的高集成度、高性价比解决方案。

产品参数图文手册常见问题