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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3341-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3341-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3341-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3341-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3341-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3341-TL-E 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用超小型 SOT-416(SC-75)封装,具有低导通电阻(Rds(on) ≈ 280 mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 1.2 nC)和快速开关特性。其额定电压为30 V,连续漏极电流(Id)达0.3 A(Ta=25°C),适合低压、小功率、高密度应用。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口负载开关; 2. DC-DC转换器次级侧同步整流:在微型升压/降压模块中作为高效续流开关,提升转换效率; 3. 电池保护与充放电控制:用于单节锂离子/聚合物电池的过流保护电路或充电路径管理; 4. 信号切换与逻辑电平转换:在低功耗MCU外围电路中实现GPIO驱动能力扩展或I²C/SPI总线缓冲; 5. 空间受限的IoT传感器节点:如温湿度传感器、BLE模组中的电源使能(EN)开关或传感器供电通断控制。 该器件强调小尺寸、低功耗与高可靠性,不适用于大电流或高压场景(如电机驱动主开关、AC-DC前端)。设计时需注意PCB散热(SOT-416热阻较高)及ESD防护(人体模型HBM达2000V,仍需合理布局)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CPH3341-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1115pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 2.5A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 其它名称 | 869-1129-6 |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |