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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CPH3327-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3327-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3327-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3327-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH3327-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH3327-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3327-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型SOT-416（SC-75）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.1 nC）和快速开关特性。其额定电压为30 V，连续漏极电流达350 mA（Ta = 25°C），适合低压、小功率、高密度应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制及USB接口过流保护开关； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于系统中对特定模块（如传感器、无线模块）进行高效启停控制，降低待机功耗； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压型微型电源模块中提升转换效率； ✅ 电池供电设备的电池保护与充放电路径管理：配合保护IC实现充放电回路的通断控制； ✅ 小型电机驱动与逻辑电平转换：适用于微型风扇、摄像头对焦马达等低电流驱动场景。 该器件支持3.3 V/5 V逻辑电平直接驱动，无需额外驱动电路，且SOT-416封装节省PCB空间，便于高密度贴装，广泛应用于对尺寸、能效和成本敏感的消费类及物联网终端产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH3327-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 245pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.45 欧姆 @ 300mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 其它名称 | 869-1127-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
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