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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CPH3324-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3324-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3324-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3324-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH3324-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH3324-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3324-TL-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 SOT-416（SC-75）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 38 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.3 nC）和快速开关特性。其额定电压为30 V，连续漏极电流达3.5 A（Tc=25°C），适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB接口过流保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压（Buck/Boost）模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ 电池供电系统保护电路：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及电子保险丝（eFuse）功能； ✅ 小型电机驱动：驱动微型直流电机或振动马达（如手机震感模块），得益于其快速开关与低功耗特性； ✅ 逻辑电平兼容接口电路：支持1.8 V–4.5 V TTL/CMOS直接驱动，适用于MCU（如ARM Cortex-M系列）GPIO直驱场景。 该器件强调小尺寸、低热阻与高可靠性，不适用于高压（＞30 V）或大电流（＞4 A）持续工况。设计时需注意PCB散热焊盘布局以保障温升可控。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH3324-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 265pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 530 毫欧 @ 600mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 其它名称 | 869-1126-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
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