【未分类_CPC5602C】封装/厂家_CPC5602C中文资料_价格

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型号： CPC5602C
制造商： Clare
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPC5602C由Clare设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPC5602C价格参考。ClareCPC5602C封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPC5602C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPC5602C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223MOSFET MOSFET N-CHANNEL 350V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	耗尽模式
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5 mA
Id-连续漏极电流	5 mA
品牌	IXYS Integrated Circuits DivisionIXYS Integrated Circuits
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS Integrated Circuits CPC5602C-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CPC5602CCPC5602C
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	14 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	14 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	350 V
Vds-漏源极击穿电压	350 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+ / - 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	+ / - 20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	-
不同Vds时的输入电容(Ciss)	300pF @ 0V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14 欧姆 @ 50mA，350mV
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223
功率-最大值	2.5W
功率耗散	2.5 W
包装	管件
商标	IXYS Integrated Circuits
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	14 Ohms
封装	Tube
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	100
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	1,000
汲极/源极击穿电压	350 V
漏极连续电流	5 mA
漏源极电压(Vdss)	350V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5mA （Ta）
系列	CPC5602
通道模式	Depletion
配置	Single Dual Drain
闸/源击穿电压	+ / - 20 V